[发明专利]一种半导体热处理设备及其管路加热结构在审
申请号: | 202110603932.5 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN113421838A | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 马永昌;周厉颖;杨帅;程晨 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H05B6/10;H05B6/36 |
代理公司: | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人: | 孙向民;廉莉莉 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种半导体热处理设备及其管路加热结构,该管路加热结构包括由内向外依次套设于所述管路外部的第一保温层、线圈和第二保温层,所述线圈沿轴向缠绕于所述第一保温层的外周。本发明采用电磁加热管路的方式,让热在管路自身中产生,省去了电阻丝加热的热传导过程,能量利用充分,提高了管路加热速率和热效率;用双层保温的结构使磁场产生的热量保持在加热结构内,减少了能量的散失与浪费,提高了能量利用率;缠绕式线圈可以保证在管路上产生的热量均匀,保证管路整体温度的均匀性,使反应物顺利流通。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 热处理 设备 及其 管路 加热 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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