[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 202110593694.4 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113178216B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 孙会娟;李智勋 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/408 | 分类号： | G11C11/408;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张娜;臧建明 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体存储装置，包括译码模块、主字线驱动模块、子字线驱动模块和存储单元阵列。译码模块被配置为对目标存储单元行地址进行译码，以生成主字线选择信号和子字线选择信号；主字线驱动模块被配置为响应主字线选择信号而驱动多条主字线；子字线驱动模块被配置为响应子字线选择信号而驱动多条子字线；一个存储单元阵列包括多个存储单元，子字线驱动模块布置在存储单元阵列的任意一侧边缘处，且子字线驱动模块的输出端连接存储单元阵列的字线；至少两个不同的存储单元阵列共同使用一组主字线驱动模块，且一个译码模块连接至少一组主字线驱动模块。本申请提供的半导体存储装置面积更小，更符合半导体存储器的使用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
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