[发明专利]晶体管在审
| 申请号： | 202110571808.5 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113299760A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 马可范达尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L29/423 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种晶体管包括第一栅极结构、沟道层以及源极/漏极接触件。第一栅极结构包括纳米片材。沟道层位于第一栅极结构上。沟道层的一部分包绕第一栅极结构的纳米片材。源极/漏极接触件位于纳米片材旁。源极/漏极接触件与沟道层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
【主权项】：
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