[发明专利]基板处理装置、膜形成单元、基板处理方法及膜形成方法在审
| 申请号： | 202110556130.3 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113327871A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 田中裕二;浅井正也;春本将彦;金山幸司 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/027;B05B13/02;B05B15/68;B05D3/10;B05D7/24 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 基板处理装置具备膜形成单元、周缘部去除单元和搬送机构，膜形成单元包括：第一旋转保持部，将基板保持为水平姿势并使其旋转；涂敷液喷嘴，向由第一旋转保持部旋转的基板的被处理面喷出含金属涂敷液，周缘部去除单元包括：第二旋转保持部，将基板保持为水平姿势并使其旋转；第一去除液喷嘴，向由第二旋转保持部旋转的基板的被处理面的周缘部喷出第一去除液，膜形成单元和周缘部去除单元的至少一个还包括：第二去除液喷嘴，其向旋转的基板的被处理面的周缘部喷出用于使涂敷液溶解的第二去除液，第一去除液喷嘴在通过从第二去除液喷嘴喷出的第二去除液溶解基板的被处理面的周缘部的涂敷液后，喷出第一去除液，溶解基板的被处理面的周缘部的金属。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 形成 单元 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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