[发明专利]存储器件在审
| 申请号： | 202110467092.4 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113224173A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李雨菲;徐杰;张宾 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开了一种存储器件，包括：衬底；栅氧，其形成于衬底上；字线，所述字线形成于所述栅氧上，所述字线的两侧的栅氧上方形成有浮栅和控制栅；浮栅和控制栅之间形成有第一隔离层，控制栅、浮栅和字线之间形成有第二隔离层；在制作存储器件的过程中，在形成浮栅的多晶硅层时，添加的反应气体包括含碳的化合物。本申请通过在制作存储器件的过程中，在形成该存储器件的浮栅的多晶硅层时，添加包括含碳的化合物的反应气体，从而使多晶硅的颗粒减小，刻蚀形成的浮栅的侧壁与衬底的夹角更垂直且平滑，从而提高了器件的擦除能力，进而提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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