[发明专利]一种基于苯并二噻吩二酮的非掺杂空穴传输材料及其合成方法和应用有效
| 申请号： | 202110461386.6 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113173930B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 李在房;尹新星;胡林;宋嘉兴;苏振;金英芝 | 申请（专利权）人： | 嘉兴学院 |
| 主分类号： | C07D495/04 | 分类号： | C07D495/04;H01L51/46 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人： | 钦荣燕 |
| 地址： | 314001 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于苯并二噻吩二酮的非掺杂空穴传输材料及其合成方法以及在钙钛矿太阳能电池中的应用。本发明以具有刚性共轭平面的苯并二噻吩二酮为母核，其平面共轭结构和羰基的吸电子能力能改善分子堆积，并有效提升材料的空穴传输性能。本发明合成方法简单，合成成本低廉，所合成的材料具有高空穴传输能力和合适的能级；应用于钙钛矿太阳能电池中作为空穴传输层时，无需掺杂即可获得1.12V的高开路电压和19％的光电转化效率，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 噻吩 掺杂 空穴 传输 材料 及其 合成 方法 应用 | ||
【主权项】：
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