[发明专利]一种新型高压低损耗IGBT结构在审
| 申请号： | 202110421470.5 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN112993025A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张轩;朱东柏 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150080 黑龙江省哈尔*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明所涉及的是一种新型高压低损耗IGBT结构,此IGBT结构为集成PMOS的沟槽IGBT结构，包括集成PMOS的超级基区IGBT(PSBL IGBT)结构与集成PMOS的GGEE type IGBT(PGE IGBT)结构，PSBL IGBT结构是在SBL IGBT内部集成了PMOS结构，不仅改善了器件的导通特性与耐压特性，同时极大的改善了器件导通压降Vce(on)与关断损耗Eoff之间的折中关系,以及导通损耗Eon与续流二极管(FWD)反向恢复时的dVAK/dt折中关系，PGE IGBT结构是在GE IGBT内部集成了PMOS结构,其极大的改善器件的导通压降Vce(on)与关断损耗Eoff之间的折中关系。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 压低 损耗 igbt 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨理工大学，未经哈尔滨理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110421470.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：家居板材加工用自动配板上料系统及方法
- 下一篇：转接板及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
