[发明专利]III族氮化物衬底制备方法和半导体器件

摘要

一种III族氮化物衬底制备方法和半导体器件，其中III族氮化物衬底制备方法包括：在衬底表面形成多孔SiO2层，将多孔金属掩膜层覆盖于所述多孔SiO2层，其中所述多孔金属掩膜层的多孔与所述多孔SiO2层的多孔一一对应且孔径一致；在所述多孔金属掩膜层上表面和所述一一对应的多孔中同步生长III族氮化物层；去除所述多孔金属掩膜层上表面的III族氮化物层和多孔金属掩膜层形成周期性排列的III族氮化物纳米柱。本发明在衬底表面生长SiO2层，利用衬底与SiO2的折射率差异，增加深紫外LED的出光效率；同时形成SiO2和金属双层掩膜层带有相同结构的周期性排列通孔，通过在通孔中生长III族氮化物，较为容易地实现了周期性排列且避免了直接刻蚀方法导致的暗裂和杂质污染。