[发明专利]一种基于铯铜碘(CsCuI)半导体的全固态光源及其制备方法有效
| 申请号： | 202110376441.1 | 申请日： | 2021-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN113113520B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 郑伟;林日成;丁莹;黄丰 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人： | 高冰 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明涉及半导体器件领域，具体涉及一种基于铯铜碘(CsCuI)的全固态光源及其制备方法。包括透明电极基底，电子注入层，有源层，空穴注入层和金属电极层；所述有源层为通式为(CsI) |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 铯铜碘 cscui 半导体 固态 光源 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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