[发明专利]一种基于铯铜碘(CsCuI)半导体的全固态光源及其制备方法

权利要求书

1.一种基于CsCuI的全固态光源，其特征在于，包括透明电极基底，电子注入层，有源层，空穴注入层和金属电极层；所述有源层为通式为(CsI)_m(CuI)_n的化合物及其掺杂化合物；

其中，1≤m≤3；1≤n≤3；

所述透明电极基底为氧化铟锡玻璃，氧化铝锌玻璃或柔性基底之中的一种；

所述电子注入层包括：氧化锌、镁锌氧合金、氟化锂或碘化铯中的一种或多种；

所述掺杂化合物的掺杂元素包括：锗，铈，镨，钕，钐，铕，铒和镥中的一种或多种；

所述空穴注入层包括：氧化钼、氧化镍、碘化亚铜、和氧化亚铜中的一种或多种。

2.一种权利要求1所述基于CsCuI的全固态光源的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.在透明电极基底上沉积电子/空穴注入层；

S2.在步骤S1处理之后沉积(CsI)_m(CuI)_n的复碘化物半导体有源层；

S3.在步骤S2处理之后沉积空穴/电子注入层；

S4.在步骤S3处理之后沉积金属电极层。

3.根据权利要求2所述基于CsCuI的全固态光源的制备方法，其特征在于，所述沉积的方法包括溶液旋涂沉积法，物理气相沉积法。

4.根据权利要求3所述基于CsCuI的全固态光源的制备方法，其特征在于，所述溶液旋涂沉积法制备有源层的方法包括：将CsI和CuI混合溶于DMF和DMSO的混合溶剂中得到总浓度为0.5～1.5mol/L的溶液；将所述溶液滴于基底上，以1000～6000rpm的转速，旋转30～120s；再在100～130℃温度下烘烤10～25min。

5.根据权利要求3所述基于CsCuI的全固态光源的制备方法，其特征在于，所述物理气相沉积法制备有源层的方法包括：将CsI和CuI混合置于真空压力为10^-3Pa以下，加热350～800℃的条件下进行沉积。