[发明专利]一种低侧功率开关集成模组和驱动芯片在审

专利信息
申请号: 202110349747.8 申请日: 2021-03-31
公开(公告)号: CN113054975A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 高马利;蔡小五;郝宁;丁利强;夏瑞瑞;高悦欣;赵发展 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 房德权
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及功率开关技术领域,具体涉及一种低侧功率开关集成模组和驱动芯片。该低侧功率开关集成模组包括:SenseFET电流采样电路,用于获取功率开关管的通路电流对应的采样电流;限流保护电路,用于在采样电流超过阈值电流时,拉低功率开关管的栅极电压,减小功率开关管的通路电流;SenseFET电压采样电路,用于获取功率开关管的漏极电压对应的采样电压;短路保护电路,用于在采样电压超过阈值电压时,关断功率开关管,并关断整个电路。本发明基于SenseFET实现电流和电压的采样,能够提高采样电流和采样电压的采样精度,同时减少采样过程对功率开关管输出功率的影响,提高了低侧功率开关集成模组的可靠性。
搜索关键词: 一种 功率 开关 集成 模组 驱动 芯片
【主权项】:
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