[发明专利]GaN器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110348360.0 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113097151A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 郁发新;莫炯炯 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种GaN器件结构及制备方法，制备包括：提供基底，基底包括底层硅、中间埋氧层及顶层硅，刻蚀顶层硅形成沉积凹槽，沉积凹槽显露中间埋氧层，在沉积凹槽的侧壁上至少形成GaN沟道及GaN沟道显露表面的势垒层，制备栅极电极、源极电极和漏极电极，以得到GaN器件。本发明的GaN器件结构及其制备方法，基于顶层硅中的沉积凹槽的设计，在沉积凹槽侧壁上选择性外延，可以实现Si衬底上集成GaN器件，并可同时集成Si器件。另外，基于本发明的上述设计，还可以有效减小器件尺寸，实现器件结构的小型化。 | ||
| 搜索关键词： | gan 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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