[发明专利]半导体工艺腔漏的侦测方法在审
| 申请号： | 202110333843.3 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113113332A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 杨继犇;曹春生;杜廷卫;杨阳;王鹏 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体工艺腔漏的侦测方法，包括：步骤一、半导体工艺腔在工艺过程中产生等离子体，半导体工艺腔在有漏的状态下，空气会进入到半导体工艺腔中，且等离子体所发出的光中包括了空气中的元素所发出的光信号；步骤二、在工艺过程中实时监测空气所包括的元素光信号强度；步骤三、通过空气中的元素光信号强度的大小来侦测所述半导体工艺腔是否发生泄漏。本发明能对半导体工艺腔漏进行实时侦测，当半导体工艺腔发生泄漏时能及时侦测到从而能防止对产品产生不利影响并从而能提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 侦测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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