[发明专利]一种三维存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 202110332857.3 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN112802849B | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | 黄诗琪;刘威 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/50 | 分类号： | H10B41/50;H10B41/20;H10B43/50;H10B43/20 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三维存储器及其制作方法，包括：形成外围电路芯片和多个存储阵列芯片，外围电路芯片包括第一衬底和形成于第一衬底上的第一互连层，每个存储阵列芯片包括多个功能结构；将多个存储阵列芯片进行键合，得到存储阵列组合结构；形成多个互连导接柱，每个互连导接柱用于将各个存储阵列芯片中对应的功能结构一并连接到第一互连层，从而能够利用现有成熟工艺制备外围电路芯片和存储阵列芯片，并通过键合、深孔刻蚀以及金属互连等简单工艺即可实现三维存储器存储密度和容量的增大，同时保证良率，且不会增加形成三维存储器的工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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