[发明专利]半导体器件膜厚的测量方法在审
| 申请号： | 202110332821.5 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113091626A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 盛永尚 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件膜厚的测量方法，其中，参考半导体器件与待测半导体器件具有相同的结构，两者基底及目标膜层的结构相同，因此，通过参考半导体器件的参考光谱图与待测半导体器件的测量光谱图的关系获得所述待测半导体器件的目标膜层的真实厚度，从而实际有效地监控主存储区的目标膜层的真实膜厚。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测量方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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