[发明专利]闪存存储器的制造方法在审
| 申请号： | 202110313042.0 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN112908859A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 付博;曹启鹏;王卉;曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/11521;H01L29/788 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种闪存存储器的制造方法，通过减薄侧墙材料层的厚度，能够增大侧墙材料层中的第二开口的开口尺寸，如此，可以增大后续刻蚀所述侧墙材料层的工艺窗口，使得在刻蚀所述侧墙材料层以形成侧墙层后，能够暴露出部分所述控制栅材料层，由此避免了侧墙层阻挡后续刻蚀控制栅材料层，从而在后续刻蚀所述控制栅材料层时，能够分断所述控制栅材料层，并利用分断的所述控制栅材料层构成控制栅层，进而可以解决由于侧墙层阻挡刻蚀控制栅材料层而引起的闪存存储器中的控制栅短路的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
