[发明专利]闪存存储器的制造方法

说明书

本发明提供一种闪存存储器的制造方法，通过减薄侧墙材料层的厚度，能够增大侧墙材料层中的第二开口的开口尺寸，如此，可以增大后续刻蚀所述侧墙材料层的工艺窗口，使得在刻蚀所述侧墙材料层以形成侧墙层后，能够暴露出部分所述控制栅材料层，由此避免了侧墙层阻挡后续刻蚀控制栅材料层，从而在后续刻蚀所述控制栅材料层时，能够分断所述控制栅材料层，并利用分断的所述控制栅材料层构成控制栅层，进而可以解决由于侧墙层阻挡刻蚀控制栅材料层而引起的闪存存储器中的控制栅短路的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种闪存存储器的制造方法。

背景技术

在目前的半导体产业中，存储器在集成电路产品中占了相当大的比例，存储器中的闪存存储器的发展尤为迅速。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，具有集成度高、较快的存取速度和易于擦除等多项优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。

参考图1，其为现有技术中的闪存存储器的结构剖面示意图，闪存存储器的制造过程具体如下：首先，提供半导体衬底1，在所述半导体衬底1上依次形成浮栅材料层2、控制栅材料层3和掩膜层4。然后，刻蚀所述掩膜层4，以在所述掩膜层4中形成开口。接着，沿着所述开口的侧壁和底壁沉积侧墙材料层。接着，执行第一次刻蚀，刻蚀所述开口中的侧墙材料层以形成侧墙层5。接着，执行第二次刻蚀，刻蚀所述开口中的控制栅材料层3，以形成控制栅层。但在上述步骤中，由于闪存器件的尺寸限制，掩膜层4中的开口的尺寸较小，沿着开口的侧壁和底壁沉积侧墙材料层时，位于所述开口相对侧壁上的侧墙材料层之间的距离较小，使得后续执行第一次刻蚀时的刻蚀窗口较小，因此在执行第一次刻蚀以形成侧墙层后，侧墙层仍覆盖所述控制栅材料层3(部分厚度的侧墙材料层残留于控制栅材料层3表面)，即所述开口中无法暴露出控制栅材料层3，在后续刻蚀控制栅材料层3时，位于控制栅材料层3表面的侧墙层会阻挡刻蚀，由此导致控制栅材料层3无法被分断，如图1虚线框6所示，由于控制栅材料层3无法被分断，从而引起后续形成的闪存存储器中的控制栅出现短路的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种闪存存储器的制造方法，以解决控制栅短路的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种闪存存储器的制造方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有控制栅材料层和掩膜层；

在所述掩膜层中形成第一开口，所述第一开口暴露出所述控制栅材料层；

在所述第一开口中填充侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖所述第一开口的侧壁和底壁，并且填充所述第一开口的侧墙材料层具有凹陷以界定出第二开口；

减薄所述侧墙材料层的厚度，以增大所述第二开口的开口尺寸；

刻蚀所述侧墙材料层以进一步减薄所述侧墙材料层的厚度，并去除位于所述第一开口底部的所述侧墙材料层以形成侧墙层，并暴露出部分所述控制栅材料层；以及，

以所述侧墙层为掩膜刻蚀暴露出的所述控制栅材料层，以分断所述控制栅材料层，并利用分断的所述控制栅材料层构成控制栅层。

可选的，在所述的闪存存储器的制造方法中，所述侧墙层的材质包括氧化硅。

可选的，在所述的闪存存储器的制造方法中，减薄所述侧墙材料层的厚度的方法包括：

利用干法刻蚀工艺去除部分厚度的所述侧墙材料层，以减薄所述侧墙材料层的厚度。

可选的，在所述的闪存存储器的制造方法中，在减薄所述侧墙材料层的厚度时，采用的刻蚀气体为氟气、氩气、氧气、二氧化硫、溴化氢和氟化碳中的至少一种。

可选的，在所述的闪存存储器的制造方法中，在所述第一开口中填充侧墙材料层之后，在减薄所述侧墙材料层的厚度之前，还包括：

测量所述侧墙材料层的厚度；