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[发明专利]光波长变换元件、波长变换激光装置以及图像显示装置-CN200980137530.8有效
发明人：秋野阳介;平野嘉仁;柳泽隆行;山本修平;永塚勉;安藤俊行 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-09-17 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G02F1/377 文献下载
摘要：在光波长变换元件(1)中，具备：波长变换波导(5)，具有交替地周期性地形成有极化方向相互反转的畴(12a、12b)的周期极化反转构造，对与该周期极化反转构造对应的作为基波的光进行导波，进行该导波的基波的波长变换；第1包层(4)，由具有比波长变换波导(5)的折射率低的折射率的电介体构成，与各畴(12a、12b)相接地设置；第2包层(4)，由具有比波长变换波导(5)的折射率低的折射率的电介体构成，以与第1包层膜(4)对置的方式与各畴(12a、12b)相接地设置；第1导电单元(3)，经由第1包层(4)将各畴(12a、12b)并联地电连接；以及第2导电单元，经由第2包层(4)将各畴(12a、12b)并联地电连接。
波长变换元件激光装置以及图像显示装置

[发明专利]波长变换元件以及波长变换激光装置-CN200780100616.4有效
发明人：小矢田康晴;柳泽隆行;山本修平;平野嘉仁;永塚勉 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2007-09-12 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： G02F1/37 文献下载
摘要：一种平面波导型的波长变换元件，具有平板状的非线性光学材料，并且以多个激光振荡模式向作为垂直于光轴的方向的、与平板状的主平面垂直的方向传播激光的基波，来进行基波的波长变换，其中，在非线性光学材料中，使极化反转的周期变化而形成有非极化反转区域和极化反转区域，使得具有包括多个激光振荡模式中的至少两个激光振荡模式的相位匹配条件的相位匹配频带A的宽度。
波长变换元件以及激光装置

[发明专利]薄膜压电元件-CN00802675.0无效
发明人：三须幸一郎;吉田宪司;井幡光词;和高修三;永塚勉;内川英兴;山田朗;前田智佐子 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2000-05-09 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：一种薄膜压电元件，包括：硅衬底1；由硅衬底1上形成的氮化硅膜16和在氮化硅膜16的上侧形成的氧化硅膜2组成的介质膜21；在介质膜21上形成的下部电极3；在下部电极3上形成的压电体膜17；以及在压电体膜17上形成的上部电极5；其中，通过从硅衬底1的底面至氮化硅膜16的边界面除去与包括上部电极5存在部位的区域相对的硅衬底1部位的厚度方向部分来形成通孔6。
薄膜压电元件

[发明专利]弹性波装置-CN00811020.4无效
发明人：吉田宪司;三须幸一郎;井幡光词;酒井淳;永塚勉;山田朗;前田智佐子 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2000-11-29 - 公布日： 2003-01-15 - 主分类号： H03H3/10 文献下载
摘要：一种在压电基板1上形成了包括由导体构成的交叉指状电极4、5的电极的弹性波装置，在上述交叉指状电极4、5及反射器9上淀积以氧化硅为主要成分的电介质薄膜，适当地设定该电介质薄膜的厚度。而且，通过适当地设定电介质薄膜的厚度，保护电极不受微细金属屑的影响，另外，能获得为了避免来自外部的影响而不需要气密地封装在外壳内的弹性波装置。
弹性装置

[发明专利]弹性波装置-CN00802585.1无效
发明人：吉田宪司;和高修三;三须幸一郎;永塚勉;村井康治;井幡光词;山口正恒;桥本研也;大森达也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2000-10-18 - 公布日： 2002-02-13 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：把围绕钽酸锂的晶体X轴以离开晶体Y轴34°到41°范围旋转的面作为基板表面,以弹性表面波的波长λ规范化叉指电极中的至少一部分电极指的厚度h得到的规范化电极厚(h/λ)为0.01以上0.05以下,通过电极指宽度w和排列周期p确定的电极指的占空比(w/p)为0.6以上1.0以下。
弹性装置

[发明专利]弹性波装置-CN00801252.0无效
发明人：吉田宪司;和高修三;三须幸一郎;永塚勉;村井康治;山口正恒;桥本研也;大森达也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2000-07-05 - 公布日： 2001-10-03 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：一种弹性波装置,在以铌酸锂为主要成分的压电体的基板上形成由具有规定厚度的导体构成的指状电极,以从Y晶轴绕上述铌酸锂的X晶轴转动55°到57°的范围的面为上述基板表面;电极指的占空比(电极指宽w/电极指的排列周期p)大于0.4而小于1.0。
弹性装置

[发明专利]薄膜压电元件-CN98805170.2无效
发明人：三须幸一郎;永塚勉;和高修三 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1998-08-04 - 公布日： 2000-06-14 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：在具有基板、在上述基板的一面形成的下部电极、在上述下部电极上形成的压电薄膜和在上述压电薄膜上形成的第1上部电极的薄膜压电元件中,进而具有从上述第1上部电极的中心看在上述压电薄膜上的上述第1上部电极的外侧形成的质量负荷比上述第上部电极大的第2上部电极,上述压电薄膜具有高频区截止型的弥散特性。可以使质量负荷大的第2上部电极部压电体的截止频率比第1上部电极部压电体的截止频率低,在第1上部电极部侧的区域可以将弹性波的能量封闭,从而可以实现良好的性能。
薄膜压电元件

[发明专利]薄膜压电元件和薄膜压电元件的制造方法以及电路元件-CN97195801.7无效
发明人：和高修三;三须幸一郎;永塚勉;木村友则;龟山俊平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1997-04-24 - 公布日： 1999-07-21 - 主分类号： H01L41/107 文献下载
摘要：通过根据晶片(11)上的位置改变上部电极(18a、18b)的长度Le或宽度We、输入输出上部电极(18a、18b)间距离Lg、引出电极(19a、19b)的长度La或宽度Wa、焊接区(20a、20b)的面积、与焊接区(20a、20b)进行导电性连接的电容器的电极面积等的薄膜压电元件(12a、12b、12c)的图形形状中的至少一个以上参数,可补偿因晶片(11)上的位置不同而产生的上述薄膜压电元件(12a、12b、12c)的特性偏差,可实现与晶片(11)上的位置无关的、特性相同的薄膜压电元件(12a、12b、12c)。
薄膜压电元件制造方法以及电路

[发明专利]一种薄膜体声波器件-CN95119782.7无效
发明人：和高修三;三须幸一郎;永塚勉;木村友则;龟山俊平;前田智佐子;山田朗;本多俊久 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1995-11-24 - 公布日： 1996-09-25 - 主分类号： H03H9/15 文献下载
摘要：借助于同半导体电路一起制作一个具有宽的带宽的滤波器或一个具有宽的振荡频率范围的谐振器，本发明的实施例提供了一种小而特性良好的体声波器件。在本发明的实施例中，体声波器件包含一个其上带有介电物质层的半导体衬底，介电物质层上有一个接地导体层，接地导体层上有一个压电陶瓷薄膜，而压电陶瓷薄膜上有一个导电电极图形。压电陶瓷薄膜的厚度为接地导体层厚度的10倍以上，且沿平行于压电陶瓷薄膜表面的方向传播的声波的波数同压电陶瓷薄膜厚度的乘积小于2。
一种薄膜声波器件