[发明专利]一种高侧功率管的ESD保护结构在审
| 申请号： | 202110271092.7 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113035937A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 张波;袁柳;乔明;齐钊 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高侧功率管的ESD保护结构，包括P型深阱，N型深阱，P型阱区，N型阱区，P型接触区，N型接触区，N型漂移区，N型埋层、P型衬底、栅氧化层，第一氧化层和多晶硅栅；本发明在基本不增加器件面积的情况下，通过在高侧管隔离环结构中增加P型接触区从而与隔离环N型区域以及隔离环内LDMOS源极结构一同形成晶闸管结构，该晶闸管结构能有效地实现隔离环内LDMOS器件的ESD自防护，另外本发明还通过在隔离环外增加N型接触区从而形成NPN结构，可有效地实现隔离环对地的ESD保护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率管 esd 保护 结构 | ||
【主权项】：
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