[发明专利]存储器元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110266366.3 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN114864675A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 郭舒绮;廖宏魁;刘振强 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/11521;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种存储器元件及其制造方法。存储器元件包括浮置栅极、栅间介电层、栅极耦合层与控制栅极。浮置栅极设置于基底上且具有梳状部。所述梳状部具有彼此侧向间隔开的多个条状图案。栅间介电层覆盖浮置栅极的梳状部的上表面。栅极耦合层覆盖栅间介电层。控制栅极包括立于栅极耦合层上的导电插塞，且电连接于栅极耦合层。控制栅极在垂直方向上与水平方向上电容耦合于浮置栅极的梳状部。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力晶积成电子制造股份有限公司，未经力晶积成电子制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110266366.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种咔唑稠环取代的三嗪类化合物及其应用
- 下一篇：存储器装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
