[发明专利]激光器芯片及制备方法有效
| 申请号： | 202110258774.4 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN112636178B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张海超;潘彦廷;李马惠;穆瑶;董延;陈发涛;刘钿;曹凡;谷润妍 | 申请（专利权）人： | 陕西源杰半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 樊春燕 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种激光器芯片及制备方法，所述制备方法包括：提供基底；于所述基底的表面形成有源层；于所述基底上形成包括由下至上依次叠置的第一半绝缘层、第二半绝缘层及第三半绝缘层的叠层结构；于所述有源层上形成外延结构；其中，所述叠层结构位于所述有源层及所述外延结构相对的两侧。上述依次叠置的第一半绝缘层、第二半绝缘层及第三半绝缘层形成的叠层结构作为掩埋阻挡层替换传统掩埋型结构中的PN结构，降低激光器芯片的结电容，从而提升激光器的高频带宽；除此之外，叠层结构在激光器芯片中形成窄电流注入通道，激光器芯片整体形成对称波导结构，相较于传统PN结掩埋结构的电流限制通道更小，有利于电流注入。 | ||
| 搜索关键词： | 激光器 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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