[发明专利]存储器器件及存储器电路在审
| 申请号： | 202110238778.6 | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN113990365A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 江宏礼;林仲德;林世杰;陈自强;宋明远;黄汉森 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本揭露提供一种存储器器件及一种存储器电路。存储器器件包括自旋轨道力矩(spin‑orbit torque，SOT)层、磁性穿遂结(magnetic tunnel junction，MTJ)、读取字线、选择器以及写入字线。MTJ站立在SOT层上。读取字线电连接到MTJ。写入字线通过选择器连接到SOT层。当选择器接通时写入字线电连接到SOT层，且当选择器处于断开状态时写入字线与SOT层电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 器件 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110238778.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
