[发明专利]一种碳化硅单晶表面微结构的构建方法有效
| 申请号： | 202110232940.3 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113130305B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 姚泰;宋波;于永澔 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;B23K26/082;B23K26/14;B23K26/70;C30B29/36;C30B33/10 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 李旭亮 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅单晶表面微结构的构建方法，该方法包括以下步骤：S1、飞秒激光扫描：在气体氛围下，利用飞秒激光辐照清洁后碳化硅单晶Ⅱ，得碳化硅单晶Ⅲ；S2、酸液刻蚀：利用酸液刻蚀碳化硅单晶Ⅲ，得碳化硅单晶Ⅳ；S3、碱液刻蚀：利用碱液刻蚀碳化硅单晶Ⅳ，即得碳化硅单晶微结构。其实现了碳化硅单晶表面微结构的构建和表面的快速腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 表面 微结构 构建 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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