[发明专利]高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110048325.7 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN112928162B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 胡加辉;苏晨;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20;H01L29/205;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法，属于半导体器件技术领域。高电子迁移率晶体管外延片包括衬底及依次层叠在衬底上的第一复合层、第二复合层，第一复合层包括交替层叠在衬底上的AlN子层与第一GaN子层，镓原子在生长时的迁移率较高，可以促进AlN子层中迁移率较低的Al原子的移动与生长，保证第一复合层整体的生长质量，为后续薄膜的生长提供良好的生长基础。交替层叠的InAlGaN子层与第二GaN子层，InAlGaN子层本身的晶格常数是位于AlN子层与第一GaN子层之间，可以实现由第一复合层到第二复合层的良好过渡，底层结构的晶体质量的提高可以最终提高高电子迁移率晶体管外延片的整体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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