[实用新型]一种高通导效率的半导体三极管有效

专利信息
申请号: 202020797014.1 申请日: 2020-05-13
公开(公告)号: CN212182306U 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 赵晓美 申请(专利权)人: 深圳市安润佳半导体科技有限公司
主分类号: H01L23/40 分类号: H01L23/40;H01L23/367;H01L23/495
代理公司: 北京棘龙知识产权代理有限公司 11740 代理人: 戴丽伟
地址: 518000 广东省深圳市福田区华强*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种高通导效率的半导体三极管,包括三极管本体、壳体和底座,所述底座的两侧固定安装有固定台,所述底座的顶部固定安装有壳体,所述壳体的内部固定安装有三极管本体,且三极管本体的顶部固定安装有顶台,所述壳体内部的三极管本体两端固定安装有散热板,所述三极管本体的底部贯穿底座固定安装有基极,所述基极的一侧固定安装有发射极,所述基极的另一侧固定安装有集电极,所述发射极、基极和集电极的外围滑动安装有防护垫。本实用新型通过设置有一系列的结构使本装置在使用的过程中具有稳定性强,对半导体三极管的防护效果好以及散热效果好等优点,优化使用过程。
搜索关键词: 一种 高通导 效率 半导体 三极管
【主权项】:
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