[发明专利]一种微型发光二极管结构的制造方法有效
申请号: | 202011626200.X | 申请日: | 2020-09-21 |
公开(公告)号: | CN112768571B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 陈卫军;刘美华 | 申请(专利权)人: | 广东晶相光电科技有限公司;深圳市晶相技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 王积毅 |
地址: | 529000 广东省江门市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提出一种微型发光二极管结构的制造方法,所述微型发光二极管结构的制造方法包括:提供一生长基板;形成一缓冲层于所述生长基板上;形成第一半导体层于所述缓冲层上;形成发光层于所述第一半导体层上;形成第二半导体层于所述发光层上;将所述第一半导体层、发光层及第二半导体层区分成多个微发光二极管结构,其中每一所述多个微发光二极管结构包括部分的所述第一半导体层、发光层及第二半导体层区。通过本发明提供的一种微型发光二极管结构的制造方法,可以高效的同时获得多个微发光二极管结构。 | ||
搜索关键词: | 一种 微型 发光二极管 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
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