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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种发光二极管芯片及其应用-CN202011625607.0有效
发明人：陈卫军;刘美华 -专利权人： 广东晶相光电科技有限公司;深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提出一种发光二极管芯片及其应用，所述发光二极管芯片包括：多个发光二极管；多个电性连接件，分别连接于所述多个发光二极管；以及封装体，将多个所述发光二极管整合成所述发光二极管芯片；其中，所述多个发光二极管具有相同的光色。通过本发明提供的一种发光二极管芯片及其应用，提高发光二极管面板制造过程中的转印良率。
一种发光二极管芯片及其应用

[实用新型]一种发光二极管及发光二极管显示面板-CN202222570840.4有效
发明人：庄家铭;陈卫军;崔永进 -专利权人： 广东晶相光电科技有限公司;深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型提出一种发光二极管及发光二极管显示面板，且所述发光二极管包括：发光外延，包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；反射层，设置在所述第一半导体层的表面；增亮基板，设置在所述第二半导体层上，且所述增亮基板远离所述第二半导体层的一面设置有多个凸部；第一连接电极，设置在所述反射层上，且所述第一连接电极与所述第一半导体层连接；以及第二连接电极，设置在所述反射层上，且所述第二连接电极与所述第二半导体层连接。通过本实用新型提供的一种发光二极管，可提高发光二极管显示面板的制程良率。
一种发光二极管显示面板

[实用新型]一种发光二极管及发光二极管显示面板-CN202222581001.2有效
发明人：庄家铭;陈卫军;崔永进 -专利权人： 广东晶相光电科技有限公司;深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型提出一种发光二极管及发光二极管显示面板，且所述发光二极管包括：衬底；发光外延，设置在所述衬底上，且所述发光外延包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，与所述第一半导体层连接；第二电极，与所述第二半导体层连接；第一绝缘层，设置在所述发光外延上；反射层，设置在所述第一绝缘层上；以及第二绝缘层，设置在所述反射层上，且所述第二绝缘层包覆所述反射层。通过本实用新型提供的一种发光二极管，可提高发光二极管显示面板的制程良率。
一种发光二极管显示面板

[发明专利]一种液晶显示面板和液晶显示器-CN202011608410.6有效
发明人：李小丁 -专利权人： 广东晶相光电科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明提出一种液晶显示面板和液晶显示器，包括：第一基板；第二基板，设置在所述第一基板相对的位置上；彩色滤光片，设置在所述第一基板和所述第二基板之间，位于所述第一基板或所述第二基板上；间隔设置的第一间隔柱和第二间隔柱，设置在所述第一基板或所述第二基板上，所述第一间隔柱的高度大于所述第二间隔柱的高度；液晶层，设置在所述第一基板和所述第二基板之间，填充在所述第一间隔柱和所述第二间隔柱之间；其中，所述第一间隔柱和所述第二间隔柱的材料相同，所述第一间隔柱的材料为黑色光阻层。本发明提出的液晶显示面板和液晶显示器可以具有更好的画面质量。
一种液晶显示面板液晶显示器

[实用新型]一种发光二极管及发光二极管显示面板-CN202222570814.1有效
发明人：庄家铭;陈卫军;崔永进 -专利权人： 广东晶相光电科技有限公司;深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型提出一种发光二极管及发光二极管显示面板，且所述发光二极管包括：衬底；发光外延，设置在所述衬底上，且所述发光外延包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；台阶，设置在所述发光外延的一侧，且所述台阶的转角处呈钝角设置；第一电极，与所述第一半导体层连接；第二电极，与所述第二半导体层连接；绝缘层，设置在所述发光外延上，且包覆部分所述第一电极和所述第二电极；其中，所述台阶的转角、所述第一电极和所述第一半导体层之间的第一夹角以及/或所述第二电极和所述第二半导体层之间的第二夹角为钝角。通过本实用新型提供的一种发光二极管，可提高发光二极管显示面板的制程良率。
一种发光二极管显示面板

[实用新型]一种发光二极管及发光二极管显示面板-CN202222570811.8有效
发明人：庄家铭;陈卫军;崔永进 -专利权人： 广东晶相光电科技有限公司;深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型提出一种发光二极管及发光二极管显示面板，且所述发光二极管包括：发光外延，包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；反射层，设置在所述第一半导体层的表面；增亮基板，设置在所述第二半导体层上，所述增亮基板上设置有多个凸部，且所述凸部位于所述增亮基板远离所述第二半导体层的一面；第一连接电极，与所述第一半导体层连接；以及第二连接电极，与所述第二半导体层连接，且所述第一连接电极和所述第二连接电极位于相对于所述增亮基板的一侧。通过本实用新型提供的一种发光二极管，可提高所述发光二极管的亮度。
一种发光二极管显示面板

[发明专利]一种发光二极管芯粒的分选方法及系统-CN202211182864.0在审
发明人：庄家铭;陈卫军;崔永进 -专利权人： 广东晶相光电科技有限公司;深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： B07C5/342 文献下载
摘要：本发明提出一种发光二极管芯粒的分选方法及系统，且所述发光二极管芯粒的分选方法包括：检测母片上每个发光二极管芯粒的波长；依据每个所述发光二极管芯粒的波长，获取所有发光二极管芯粒的波长排布图；在每个波段范围中，依据所述子片中所需的发光二极管芯粒数量，等比例分选所述发光二极管芯粒至子片；其中，每个所述子片中，所述发光二极管芯粒的排布方式与所述波长排布图相同。通过本发明提供的一种发光二极管芯粒的分选方法及系统，可提高显示面板的均匀性。
一种发光二极管芯分选方法系统

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法与发光二极管显示面板-CN202211182865.5在审
发明人：庄家铭;陈卫军;崔永进 -专利权人： 广东晶相光电科技有限公司;深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提出一种发光二极管及其制作方法与发光二极管显示面板，且所述发光二极管包括：衬底；第一外延结构，设置在所述衬底上，且所述第一外延结构包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，与所述第一半导体层连接；第二电极，与所述第二半导体层连接；第一绝缘层，设置在所述第一外延结构上；反射层，设置在所述第一绝缘层上；以及第二绝缘层，设置在所述反射层上，且所述第二绝缘层包覆所述反射层。通过本发明提供的一种发光二极管，可提高发光二极管显示面板的制程良率。
一种发光二极管及其制作方法显示面板

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法与发光二极管显示面板-CN202211182881.4在审
发明人：庄家铭;陈卫军;崔永进 -专利权人： 广东晶相光电科技有限公司;深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提出一种发光二极管及其制作方法与发光二极管显示面板，且所述发光二极管包括：衬底，具有相对的第一表面及第二表面；第一外延结构，设置在所述衬底的第一表面上，且所述第一外延结构包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，与所述第一半导体层电性连接；第二电极，与所述第二半导体层电性连接；以及第二外延结构，设置在所述衬底的第二表面上。通过本发明提供的一种发光二极管，可提高发光二极管显示面板的制程良率。
一种发光二极管及其制作方法显示面板

[发明专利]一种微型发光二极管结构的制造方法-CN202011626200.X有效
发明人：陈卫军;刘美华 -专利权人： 广东晶相光电科技有限公司;深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种微型发光二极管结构的制造方法，所述微型发光二极管结构的制造方法包括：提供一生长基板；形成一缓冲层于所述生长基板上；形成第一半导体层于所述缓冲层上；形成发光层于所述第一半导体层上；形成第二半导体层于所述发光层上；将所述第一半导体层、发光层及第二半导体层区分成多个微发光二极管结构，其中每一所述多个微发光二极管结构包括部分的所述第一半导体层、发光层及第二半导体层区。通过本发明提供的一种微型发光二极管结构的制造方法，可以高效的同时获得多个微发光二极管结构。
一种微型发光二极管结构制造方法

[实用新型]一种发光二极管及发光二极管显示器-CN202123417756.0有效
发明人：陈卫军 -专利权人： 广东晶相光电科技有限公司;深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型提出一种发光二极管及发光二极管显示器，包括：衬底；半导体外延结构，设置在所述衬底上；透明导电层，设置在所述半导体结构上第一电极，设置在所述半导体外延结构的第一半导体层上；第二电极，设置在所述透明导电层上；以及防水保护层，设置在所述透明导电层和部分所述第一电极和所述第二电极上。通过本实用新型提供的一种发光二极管，可防止水汽入侵。
一种发光二极管显示器

[实用新型]一种发光二极管及发光二极管显示器-CN202123424145.9有效
发明人：陈卫军 -专利权人： 广东晶相光电科技有限公司;深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型提出一种发光二极管及发光二极管显示器，包括：衬底；半导体外延结构，设置在所述衬底上；透明导电层，设置在所述半导体结构上；第一电极，设置在所述半导体外延结构的第一半导体层上；第二电极，设置在所述透明导电层上，且第一电极和第二电极之间存在间隙；第一焊盘，设置在所述第一电极上；第二焊盘，设置在所述第二电极上；以及支撑层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，且填满所述间隙。通过本实用新型提供的一种发光二极管，可防止发光二极管转移时断裂。
一种发光二极管显示器

[实用新型]一种发光二极管转移装置-CN202122345544.X有效
发明人：陈卫军 -专利权人： 广东晶相光电科技有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型提出一种发光二极管转移装置，包括：矩阵切割条，设置在转移板，以将所述基板切割成多个晶圆，每一所述晶圆上包括至少一个发光二极管；矩阵吸盘，设置于相邻所述矩阵切割条之间，用于转移多个所述晶圆。本实用新型提出的发光二极管转移装置可以对晶圆进行一体化切割与转移，结构简单，可提高加工效率。
一种发光二极管转移装置

[实用新型]一种半导体外延结构及其应用-CN202122345525.7有效
发明人：陈卫军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司;广东晶相光电科技有限公司;苏州辰华半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型提出一种半导体外延结构及其应用。且所述半导体结构包括：衬底；第一半导体层，设置在所述衬底上；电阻层，设置在所述第一半导体层上；有源层，设置在所述电阻层上；以及第二半导体层，设置在所述有源层上。通过本实用新型提供的一种半导体外延结构及其应用，可改善发光二极管芯片的闪烁情况。
一种半导体外延结构及其应用

[实用新型]一种发光二极管及发光二极管显示器-CN202122344689.8有效
发明人：陈卫军 -专利权人： 广东晶相光电科技有限公司;深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型提出一种发光二极管及发光二极管显示器，所述发光二极管包括：衬底；第一半导体层，设置在所述衬底的一侧；有源层，设置在所述第一半导体层上；第二半导体层，设置在所述有源层上；第一电极，设置在所述第一半导体层上；第二电极，设置在所述第二半导体层上；以及遮挡层，设置在所述衬底的外侧，且覆盖所述衬底的一个或多个侧面。通过本实用新型提供的一种发光二极管及发光二极管显示器，可减小出光角度。
一种发光二极管显示器

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