[发明专利]一种压力传感器基座及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202011582464.X 申请日: 2020-12-28
公开(公告)号: CN112798157A 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 郑浩楠;王宇飞;王俊杰;李帅;杨文波;寇轩彰 申请(专利权)人: 西安赛尔电子材料科技有限公司
主分类号: G01L1/18 分类号: G01L1/18;G01L9/06;G01L19/14;C03C29/00
代理公司: 嘉兴中创致鸿知识产权代理事务所(普通合伙) 33384 代理人: 赵丽丽
地址: 710018 陕西省西安市西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 本发明专利属于金属玻璃封接领域,具体是涉及一种压力传感器基座及其制作方法。该压力传感器基座包括外壳、封接玻璃坯和引线,所述外壳在轴向上设有玻璃封接孔,将封接玻璃坯放入所述玻璃封接孔内,所述封接玻璃坯上设有若干通孔,将引线至下而上穿过所述通孔,所述玻璃封接孔呈阶梯状,位于所述封接玻璃孔上方设有第一台阶,位于第一台阶上方设有第二台阶。本发明目的在于提供一种高性能压力传感器基座及其制作方法,本发明为高电性能压力传感器基座优化和制作方法,制作出来的产品耐电压及电阻性能强。大大提高传感器的使用范围。
搜索关键词: 一种 压力传感器 基座 及其 制作方法
【主权项】:
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