[发明专利]Si衬底的AlGaN薄膜结构及制备方法在审
| 申请号： | 202011551635.2 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112687779A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 高芳亮;杨金铭 | 申请（专利权）人： | 深圳市昂德环球科技有限公司;惠州市三航无人机技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 武志峰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了Si衬底的AlGaN薄膜结构及制备方法，所述Si衬底的AlGaN薄膜结构包括：生长在Si衬底上的基础AlN层、生长在所述基础AlN层上的第一高温AlN层、生长在所述第一高温AlN层上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的第二高温AlN层、生长在所述第二高温AlN层上的第一AlGaN层、生长在所述第一AlGaN层上的第二AlGaN层，其中所述第二AlGaN层的厚度比所述第一AlGaN层的厚度大。本发明在Si衬底上制备AlN缓冲层，并采用低温结合高温AlN缓冲层技术，能够有效避免降低Si和Ga之间在高温下的回熔刻蚀反应，克服现有技术的不足，获得高性能的AlGaN薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | si 衬底 algan 薄膜 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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