[发明专利]半导体晶圆激光切割用气浮平台有效
| 申请号： | 202011543361.2 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112276384B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 赵裕兴;李军;高峰 | 申请（专利权）人： | 苏州德龙激光股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;B23K26/402;B23K26/08 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 王玉国 |
| 地址： | 215021 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体晶圆激光切割用气浮平台，大理石底座上布置X轴导轨一和X轴导轨二，X轴气浮导向运动件与X轴导轨一相配，底面设有气浮水平方向正压节流孔一，X轴气浮导向运动件的凹槽侧面设有气浮侧向正压节流孔一；X轴气浮导向运动件通过柔性连接件与Y轴SiC横梁相连，X轴导轨一设有X轴磁钢一，Y轴SiC横梁一端设有X轴线圈一，X轴导轨二设有X轴磁钢二，Y轴SiC横梁另一端设有X轴线圈二；Y轴气浮导向运动件与Y轴SiC横梁相配，底面中部设有负压型腔一，底面设有气浮水平方向正压节流孔二；Y轴气浮导向运动件的槽孔侧面设有气浮侧向正压节流孔二；Y轴SiC横梁底面设有X轴气浮水平导向件。运行稳定，精度高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 切割 用气浮 平台 | ||
【主权项】：
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