[发明专利]相变存储器的制造方法及相变存储器在审
| 申请号： | 202011497011.7 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112614809A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 刘峻;高王荣;徐陈林 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/544;H01L45/00;H01L23/538;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 刘恋;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种相变存储器的制造方法及相变存储器，所述方法包括：提供衬底；在衬底器件区域的第一介质层中形成有由下至上依次层叠设置的第一互连线、第一位线连接部、第一导电线以及存储单元；在器件区域中还形成有第二互连线和第三互连线；形成贯穿第一介质层且延伸至第二互连线的第一凹槽，并形成贯穿第一介质层且延伸至第三互连线的第二凹槽；第一凹槽的开口尺寸小于第二凹槽的开口尺寸；向第一凹槽和第二凹槽中沉积第一导电材料，以在第一凹槽中形成第一字线连接部，在第二凹槽中形成第二字线连接部，且基于第二凹槽的形貌形成第三凹槽；第一字线连接部的顶部与第一介质层的顶表面平齐。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江先进存储产业创新中心有限责任公司，未经长江先进存储产业创新中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011497011.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
