[发明专利]晶体管栅极及形成方法在审
申请号: | 202011383732.5 | 申请日: | 2020-12-01 |
公开(公告)号: | CN113206083A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 李欣怡;洪正隆;徐志安 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092;H01L21/8238 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 陈蒙 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本公开涉及晶体管栅极及形成方法。一种器件包括:第一纳米结构;第二纳米结构,在第一纳米结构之上;第一高k栅极电介质,在第一纳米结构周围;第二高k栅极电介质,在第二纳米结构周围;以及栅极电极,在第一高k栅极电介质和第二高k栅极电介质之上。栅极电极在第一纳米结构和第二纳米结构之间的部分包括:第一p型功函数金属;阻挡材料,在第一p型功函数金属之上;以及第二p型功函数金属,在阻挡材料之上,该阻挡材料将第一p型功函数金属与第二p型功函数金属实体分离。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 栅极 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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