[发明专利]有机薄膜晶体管器件制备方法及显示面板有效
申请号: | 202011339789.5 | 申请日: | 2020-11-25 |
公开(公告)号: | CN112420927B | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
发明(设计)人: | 申丽萍;邢汝博;陈伟伟 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
主分类号: | H01L51/40 | 分类号: | H01L51/40;H01L51/05 |
代理公司: | 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 | 代理人: | 唐维虎;张红平 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请实施例提供的有机薄膜晶体管器件制备方法及显示面板,涉及半导体器件技术领域。通过在掩膜层上形成有机半导体层,再通过移除该掩膜层的方式形成有机半导体沟道层。上述形成有机半导体沟道层的方式相对于光刻形成有机半导体沟道层的方式,因形成过程不会涉及高温烘烤光刻胶层的工艺步骤,所形成的有机半导体沟道层中载流子的迁移率较高,有机薄膜晶体管器件的电学特性相对稳定。同时,上述形成有机半导体沟道层的方式,有效规避了制程环境因素(光、高温)对有机半导体沟道层形成的影响,有机半导体沟道层图形化过程更加简单,图形化效果更好。 | ||
搜索关键词: | 有机 薄膜晶体管 器件 制备 方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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