[发明专利]石墨烯/硅基体沟道电子倍增电荷耦合器件及其读出方法在审
| 申请号： | 202011247033.8 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112420808A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 徐杨;吕建杭;穆尼尔;刘威;刘亦伦;刘晨;俞滨 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/423;H01L29/768;H01L27/148 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 刘静 |
| 地址： | 311215 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯/硅基体沟道电子倍增电荷耦合器件及其读出方法，该电荷耦合器件采用了埋沟型衬底，包括栅极、半导体硅衬底、沟道层、氧化物绝缘层、源极、漏极与单层石墨烯薄膜；有光线入射时，由于石墨烯的高透明度，可见光进入体硅并被硅所吸收，其产生的少数载流子被积累到硅衬底中的深耗尽势阱；当施加偏压足够大时，体硅中产生雪崩效应，可以得到比常规CCD器件更为显著的光电流。同时由于体沟道的存在避免了表面态的影响，该器件的工作频率和量子效率都要优于表面沟道CCD。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 基体 沟道 电子 倍增 电荷耦合器件 及其 读出 方法 | ||
【主权项】：
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