[发明专利]一种氮化镓射频器件的外延制备方法在审
| 申请号： | 202011241064.2 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112331746A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 尹宝堂;王子懿;林丰旭;黎力韬;田露 | 申请（专利权）人： | 辽宁百思特达半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 | 代理人： | 杨光 |
| 地址： | 124010 辽宁省盘锦市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化镓射频器件的外延制备方法，特别涉及GaN射频器件制备工艺的技术领域，包括如下步骤：S1、化学清洗：衬底为Si；S2、高温除杂：将化学清洁后的Si衬底H2环境下，1100摄氏度烘烤5分钟；S3、生长缓冲层：在Si衬底的原位烘烤清洁完毕后，在1100摄氏度、300mba的环境下，打开TMAl源和NH3源阀门，H2作为载气，高温AlN缓冲层；S4、生长插入层：温度不变将压强降低到200mba，H2作为载气，生长AIxGa1‑xN插入层，生长时间为1800秒，插入层为300nm；S5、退火：S6、生长GaN单晶：升温到1100摄氏度。打开TMGa源不关闭NH3，生长GaN。本发明具有使得衬底和外延层热膨胀系数更加适配，外延层表面减少裂纹更加光滑，外延层的质量更高的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 射频 器件 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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