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[发明专利]一种氮化镓高铝组分的外延生长方法-CN202011232482.5有效
发明人： 尹宝堂;姚青;张容川;朱静;王伟华 -专利权人：辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种氮化镓高铝组分的外延生长方法；包括以下步骤：衬底处理、生长氮化镓成核层、生长氮化镓模板层、生长氮化镓缓冲层、生长多个多量子阱应力传递层以及生长GaN盖层。本发明的目的在于提供一种氮化镓高铝组分的外延生长方法，能够实现高阻值。
一种氮化镓高铝组分外延生长方法

[发明专利]用于城市夜间照明的具有调节功能的智慧路灯及控制方法-CN202010270275.2有效
发明人： 尹宝堂;孙越 -专利权人：辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H05B47/00 文献下载
摘要：本发明属于智慧路灯技术领域，公开了一种用于城市夜间照明的具有调节功能的智慧路灯及控制方法，所述用于城市夜间照明的具有调节功能的智慧路灯包括：视频监控模块、图像数据处理模块、中央控制模块、供电模块、电能调度模式切换模块、遮雨模块、驱动模块、异常预警模块、数据存储模块、无线通信模块、显示模块。本发明提供的智慧路灯设置有光伏组件、锂电池及并网装置，中央处理器根据光伏组件的发电量与智慧路灯负载用电量的大小，控制智慧路灯于不同的电能调度模式之间切换；同时本发明通过光伏组件发出电能，电网电能自动单路或并联为路灯负载供电，实现全自动控制，能够有效降低能耗水平且保持路灯系统的功能多样化。
用于城市夜间照明具有调节功能智慧路灯控制方法

[实用新型]一种智慧城市用人行道指示装置-CN202023088443.0有效
发明人： 尹宝堂;王伟华;王子懿;田雨;黎力韬 -专利权人：广西华智芯半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： E01F9/608 文献下载
摘要：本实用新型涉及智慧城市技术领域，尤其涉及一种智慧城市用人行道指示装置，包括底座、外壳以及指示主体机。外壳相对两侧面开设有开口，外壳的顶面开设有通槽，外壳的顶部一角处设置有转动机构，转动机构驱动连接有转板。指示主体机包括指示灯箱、主控制器、蓄电池和太阳能电池板。指示灯箱能够发出红灯以及绿灯两种颜色的光，指示灯箱固定设置在外壳内腔底部。指示主机的太阳能电池板在使用时启动转动机构带动转板通过槽口打开通槽，以使太阳能电池板置于外部，接收太阳的进而转化为电能，存储在蓄电池内，当不使用太阳能电池板或者将反向启动转动机构带动转板反向转回，关闭通槽，对太阳能电池板起到了良好的防护效果。
一种智慧城市用人行道指示装置

[发明专利]一种基于5G通信的多功能智慧灯杆控制系统及控制方法-CN202010120754.6有效
发明人： 尹宝堂;杨焕永;于强;董雱 -专利权人：辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H05B47/19 文献下载
摘要：本发明属于智慧灯杆控制技术领域，公开了一种基于5G通信的多功能智慧灯杆控制系统及控制方法，所述基于5G通信的多功能智慧灯杆系统包括：光照强度采集模块、环境质量检测模块、环境图像采集模块、图像处理模块、噪声检测模块、降噪处理模块、中央控制模块、5G通信模块、移动终端模块、触摸操作显示模块、电源管理模块、太阳能发电执行欧快、喷雾降尘模块和语音输出模块。本发明通过5G网路与移动终端连接，用以实现相应的通信；移动终端通过设置有移动终端，用以远程对灯杆系统进行控制。本发明能够对周围空气环境检测，导致无法根据数据，降低了对空气环境改善的针对性。同时能够根据用电使用要求，对太阳能发电进行分布控制。
一种基于通信多功能智慧灯杆控制系统控制方法

[发明专利]一种智能分布式DTU配电终端及控制方法-CN202010125471.0有效
发明人： 尹宝堂;苏进胜;王金刚 -专利权人：致能装备科技（集团）有限公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H02J13/00 文献下载
摘要：本发明属于电力电气技术领域，公开了一种智能分布式DTU配电终端及控制方法，测控模块实现对开关的监测；通信模块用于实现使用户的控制信息通过USB接口和单片机通信；故障定位模块能对单元内线路中的所有故障信息实现定位采集；母线保护模块对于母线出现异常闭锁现象时，实现跳闸操作。本发明DTU配电终端采用分布式结构，具有较强的配置功能，可以满足DTU设备实施控制线路，并实现对各类数据的记录、存储、传输等，可实现监控保护配电线路，隔离故障单元，还能在线路出现故障时确保系统能够正常运行。同时本发明通过设置有通信模块可以满足配电网中对发送短消息的装置实时性、可靠性，促进电力系统的正常运行。
一种智能分布式 dtu 配电终端控制方法

[实用新型]一种智慧社区用门禁装置-CN202023088514.7有效
发明人： 尹宝堂;田泽;王伟华;田露 -专利权人：广西华智芯半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G07C9/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种智慧社区用门禁装置，包括门禁机构，门禁机构的上表面装配有支架，门禁机构包括底座，底座的上表面右端装配有侧固定机构，侧固定机构的外侧端铰接有通行门，本实用新型设置了一种带有能够选择随行工具模式的门禁机构，在使用时，首先业主使用门禁卡配合刷卡器读取信息并解锁开启一端的通行门，独行的业主可选择直接进入，传感器控制一端通行门关闭并开启另一端，保证业主顺利通过，当业主随行携带买菜小车、轮椅、自行车或婴儿车等工具时，根据自身长度选择合适的选项按钮，控制系统根据按钮增加通行时间和探测器的检测距离，有效的解决了现有的防尾随门禁门不便于业主使用买菜小车、轮椅、自行车或婴儿车等工具的问题。
一种智慧社区门禁装置

[实用新型]一种用于隧道照明的智慧灯具-CN202023088364.X有效
发明人： 尹宝堂;田泽;王子懿;田雨 -专利权人：广西华智芯半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： F21S8/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于隧道照明的智慧灯具，包括固定架，固定架的右表面装配有调节杆，调节杆的右端装配有照明灯，调节杆包括套管，套管的右端装配有固定壳，固定壳的内表面套接有可以上下移动的锁定块，套管的内表面套接有滑杆，本实用新型设置了一种带有固定架、调节杆和照明灯的隧道照明智慧灯具，在使用时，根据安装的方向不同，利用调节杆调节照明灯的俯仰角度，在调节时，移动拉动钮，带动锁定块上下移动，便于滑杆的伸出和回缩，来调节照明灯的俯仰角度，利用螺栓便于调节第二连接轴与第三固定轴的翻转角度，进而便于定向对隧道内部进行照明，有效的解决了现有的隧道照明灯具不便于安装，灯具角度不便于调节的问题。
一种用于隧道照明智慧灯具

[实用新型]一种可远程控制的智慧灯杆设备-CN202023088555.6有效
发明人： 尹宝堂;王伟华;王子懿;田雨;黎力韬 -专利权人：广西华智芯半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： F21S8/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可远程控制的智慧灯杆设备，包括灯杆，灯杆包括固定杆，固定杆的侧表面开设有穿线孔，穿线孔的外表面装配有用于为导线穿线处防水的防水罩，固定杆的顶端外表面装配有灯具支架，灯具支架包括安装环，安装环的外侧端装配有套管，套管的内表面装配有可以伸缩的调节杆，本实用新型设置了一种带有灯杆、防水罩和灯具支架的可以远程控制开关的智慧灯杆设备，在安装时，首先将底座装配在安装位置后，随后将装饰罩套接在灯杆的外表面，随后将固定座套接在底座的上表面，并使用螺栓安装，最后将装饰罩卡接在锁钩的外表面，有效的解决了现有的灯杆安装不方便，导线连接位置防水性一般，并且不便于加装不同的控制设备的问题。
一种远程控制智慧灯杆设备

[实用新型]一种氮化镓材料的外延结构-CN202023237542.0有效
发明人： 尹宝堂;吴军;田泽;田露;黎力韬 -专利权人：广西华智芯半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓材料的外延结构，包括外延底座，外延底座包括衬底板，衬底板的上表面均匀光刻有图形结构，图形结构呈正六边形，每个图形结构外围处成型有隔离槽，隔离槽的横向间距等于图形结构的边缘垂直壁厚，衬底板的上表面纵向贴合有电极隔离条，衬底板的上表面横向贴合有分割隔离条，在生产氮化镓元件时，氮化镓在图形结构的上表面以及衬底板的上表面生长，并且在电极隔离条和分割隔离条的内壁之间生长，在隔离为器件大小的同时，还能够预留隔离出电极槽，有效的解决了现有的氮化镓材料在外延生长生产时为一体结构，因此后期切割、蚀刻槽位时比较麻烦的问题。
一种氮化材料外延结构

[实用新型]一种节能智慧城市路灯-CN202023090242.4有效
发明人： 尹宝堂;王伟华;王子懿;田露;黎力韬 -专利权人：广西华智芯半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： F21S8/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种节能智慧城市路灯，包括灯杆支架，灯杆支架的顶部装配有智慧灯具，智慧灯具包括外壳，外壳的内部上表面装配有第一反光板，外壳的侧壁表面前后两侧装配有侧调节机构，外壳的侧壁表面左右两侧装配有纵调节机构，侧调节机构和纵调节机构的结构相同，本实用新型设置了一种带有智慧灯具的灯杆支架，在使用时，智慧灯具能够远程调节灯光的照射角度、照射范围以及灯具的亮度，在调节时，转动电机转动带动螺杆转动，进而带动对应的螺钮左右或者前后移动，进而调节第二反光板的角度，从而达到远程控制灯光的照射范围、角度的目的有效的解决了现有的智慧路灯灯光的照射角度、照射范围不便于调节的问题，降低了光污染。
一种节能智慧城市路灯

[发明专利]一种氮化镓量子阱的外延生长方法-CN202011232484.4有效
发明人： 尹宝堂;王子懿;林丰旭;单娟;田露 -专利权人：辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及光电子技术领域，特别涉及一种氮化镓量子阱的外延生长方法；包括以下步骤：预热处理、低温成核、退火处理、形成GaN薄膜、形成非掺杂GaN缓冲层、形成n型氮化镓层、形成InaGa1‑aN量子阱、形成P型AlXGa1‑XN层、形成P型层以及形成GaN盖层。本发明的目的在于提供一种氮化镓量子阱的外延生长方法，能够保持蓝移量的稳定。
一种氮化量子外延生长方法

[发明专利]一种氮化镓材料的外延结构-CN202011590925.8在审
发明人： 尹宝堂;吴军;田泽;田露;黎力韬 -专利权人：广西华智芯半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓材料的外延结构，包括外延底座，外延底座包括衬底板，衬底板的上表面均匀光刻有图形结构，图形结构呈正六边形，每个图形结构外围处成型有隔离槽，隔离槽的横向间距等于图形结构的边缘垂直壁厚，衬底板的上表面纵向贴合有电极隔离条，衬底板的上表面横向贴合有分割隔离条，在生产氮化镓元件时，氮化镓在图形结构的上表面以及衬底板的上表面生长，并且在电极隔离条和分割隔离条的内壁之间生长，在隔离为器件大小的同时，还能够预留隔离出电极槽，有效的解决了现有的氮化镓材料在外延生长生产时为一体结构，因此后期切割、蚀刻槽位时比较麻烦的问题。
一种氮化材料外延结构

[发明专利]一种氮化镓PIN结构的外延生长方法-CN202011264763.9在审
发明人： 尹宝堂;姚青;张容川;朱静;王伟华 -专利权人：辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种氮化镓PIN结构的外延生长方法，包括将衬底经过表面抛光、清洗以及退火处理；使用MOCVD工艺在衬底上外延生长GaN薄膜；使用HVPE工艺在GaN薄膜上外延生长GaN厚膜。与现有技术相比，本发明所提供的一种氮化镓PIN结构的外延生长方法，克服了传统单一的薄膜外延生长技术的不足，充分利用了MOCVD和HVPE的优点，先用MOCVD法在蓝宝石上生长一层GaN薄膜，而后用HVPE法在其上外延生长GaN厚膜，实现GaN薄膜的高效掺杂，能够有效抑制衬底和氮化物薄膜之间的界面反应，减少薄膜裂纹，简单易行，具有可重复性；有利于制备高质量的GaN薄膜，可在高效LED器件和太阳能电池等领域发挥重要作用。
一种氮化 pin 结构外延生长方法

[发明专利]一种氮化镓P型层的外延生长方法-CN202011262626.1在审
发明人： 尹宝堂;姚青;张容川;朱静;王伟华 -专利权人：辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种氮化镓P型层的外延生长方法，在InGaN/GaN多量子阱发光层之间插入生长掺杂p型AlGaN，作为新增的电子阻挡层，在P型AlGaN层与具有In掺杂的低温P型GaN层之间插入至少一层高温生长P型GaN层。与现有技术相比，本发明可以获得能带间隙值和能带偏移率,从而有效降低电子泄漏，提高空穴的注入率，这种外延结构有效改善接触层后所带来的外观不足，改善了外貌形态，提高外观等级，发光效率会有明显的提高，LED亮度有较大提升，同时提高了结晶质量，对电压的降低提供足够空间；另外提高了Mg的活化性能，提高了空穴浓度，减少器件发热，降低结温，有利于制备高质量的GaN薄膜。
一种氮化外延生长方法

[发明专利]一种氮化镓射频器件的外延制备方法-CN202011241064.2在审
发明人： 尹宝堂;王子懿;林丰旭;黎力韬;田露 -专利权人：辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓射频器件的外延制备方法，特别涉及GaN射频器件制备工艺的技术领域，包括如下步骤：S1、化学清洗：衬底为Si；S2、高温除杂：将化学清洁后的Si衬底H2环境下，1100摄氏度烘烤5分钟；S3、生长缓冲层：在Si衬底的原位烘烤清洁完毕后，在1100摄氏度、300mba的环境下，打开TMAl源和NH3源阀门，H2作为载气，高温AlN缓冲层；S4、生长插入层：温度不变将压强降低到200mba，H2作为载气，生长AIxGa1‑xN插入层，生长时间为1800秒，插入层为300nm；S5、退火：S6、生长GaN单晶：升温到1100摄氏度。打开TMGa源不关闭NH3，生长GaN。本发明具有使得衬底和外延层热膨胀系数更加适配，外延层表面减少裂纹更加光滑，外延层的质量更高的技术效果。
一种氮化射频器件外延制备方法

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