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[发明专利]一种氮化镓高铝组分的外延生长方法-CN202011232482.5有效
发明人：尹宝堂;姚青;张容川;朱静;王伟华 -专利权人： 辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种氮化镓高铝组分的外延生长方法；包括以下步骤：衬底处理、生长氮化镓成核层、生长氮化镓模板层、生长氮化镓缓冲层、生长多个多量子阱应力传递层以及生长GaN盖层。本发明的目的在于提供一种氮化镓高铝组分的外延生长方法，能够实现高阻值。
一种氮化镓高铝组分外延生长方法

[发明专利]用于城市夜间照明的具有调节功能的智慧路灯及控制方法-CN202010270275.2有效
发明人：尹宝堂;孙越 -专利权人： 辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H05B47/00 文献下载
摘要：本发明属于智慧路灯技术领域，公开了一种用于城市夜间照明的具有调节功能的智慧路灯及控制方法，所述用于城市夜间照明的具有调节功能的智慧路灯包括：视频监控模块、图像数据处理模块、中央控制模块、供电模块、电能调度模式切换模块、遮雨模块、驱动模块、异常预警模块、数据存储模块、无线通信模块、显示模块。本发明提供的智慧路灯设置有光伏组件、锂电池及并网装置，中央处理器根据光伏组件的发电量与智慧路灯负载用电量的大小，控制智慧路灯于不同的电能调度模式之间切换；同时本发明通过光伏组件发出电能，电网电能自动单路或并联为路灯负载供电，实现全自动控制，能够有效降低能耗水平且保持路灯系统的功能多样化。
用于城市夜间照明具有调节功能智慧路灯控制方法

[发明专利]一种基于5G通信的多功能智慧灯杆控制系统及控制方法-CN202010120754.6有效
发明人：尹宝堂;杨焕永;于强;董雱 -专利权人： 辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H05B47/19 文献下载
摘要：本发明属于智慧灯杆控制技术领域，公开了一种基于5G通信的多功能智慧灯杆控制系统及控制方法，所述基于5G通信的多功能智慧灯杆系统包括：光照强度采集模块、环境质量检测模块、环境图像采集模块、图像处理模块、噪声检测模块、降噪处理模块、中央控制模块、5G通信模块、移动终端模块、触摸操作显示模块、电源管理模块、太阳能发电执行欧快、喷雾降尘模块和语音输出模块。本发明通过5G网路与移动终端连接，用以实现相应的通信；移动终端通过设置有移动终端，用以远程对灯杆系统进行控制。本发明能够对周围空气环境检测，导致无法根据数据，降低了对空气环境改善的针对性。同时能够根据用电使用要求，对太阳能发电进行分布控制。
一种基于通信多功能智慧灯杆控制系统控制方法

[发明专利]一种氮化镓量子阱的外延生长方法-CN202011232484.4有效
发明人：尹宝堂;王子懿;林丰旭;单娟;田露 -专利权人： 辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及光电子技术领域，特别涉及一种氮化镓量子阱的外延生长方法；包括以下步骤：预热处理、低温成核、退火处理、形成GaN薄膜、形成非掺杂GaN缓冲层、形成n型氮化镓层、形成InaGa1‑aN量子阱、形成P型AlXGa1‑XN层、形成P型层以及形成GaN盖层。本发明的目的在于提供一种氮化镓量子阱的外延生长方法，能够保持蓝移量的稳定。
一种氮化量子外延生长方法

[发明专利]一种氮化镓PIN结构的外延生长方法-CN202011264763.9在审
发明人：尹宝堂;姚青;张容川;朱静;王伟华 -专利权人： 辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种氮化镓PIN结构的外延生长方法，包括将衬底经过表面抛光、清洗以及退火处理；使用MOCVD工艺在衬底上外延生长GaN薄膜；使用HVPE工艺在GaN薄膜上外延生长GaN厚膜。与现有技术相比，本发明所提供的一种氮化镓PIN结构的外延生长方法，克服了传统单一的薄膜外延生长技术的不足，充分利用了MOCVD和HVPE的优点，先用MOCVD法在蓝宝石上生长一层GaN薄膜，而后用HVPE法在其上外延生长GaN厚膜，实现GaN薄膜的高效掺杂，能够有效抑制衬底和氮化物薄膜之间的界面反应，减少薄膜裂纹，简单易行，具有可重复性；有利于制备高质量的GaN薄膜，可在高效LED器件和太阳能电池等领域发挥重要作用。
一种氮化 pin 结构外延生长方法

[发明专利]一种氮化镓P型层的外延生长方法-CN202011262626.1在审
发明人：尹宝堂;姚青;张容川;朱静;王伟华 -专利权人： 辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种氮化镓P型层的外延生长方法，在InGaN/GaN多量子阱发光层之间插入生长掺杂p型AlGaN，作为新增的电子阻挡层，在P型AlGaN层与具有In掺杂的低温P型GaN层之间插入至少一层高温生长P型GaN层。与现有技术相比，本发明可以获得能带间隙值和能带偏移率,从而有效降低电子泄漏，提高空穴的注入率，这种外延结构有效改善接触层后所带来的外观不足，改善了外貌形态，提高外观等级，发光效率会有明显的提高，LED亮度有较大提升，同时提高了结晶质量，对电压的降低提供足够空间；另外提高了Mg的活化性能，提高了空穴浓度，减少器件发热，降低结温，有利于制备高质量的GaN薄膜。
一种氮化外延生长方法

[发明专利]一种氮化镓射频器件的外延制备方法-CN202011241064.2在审
发明人：尹宝堂;王子懿;林丰旭;黎力韬;田露 -专利权人： 辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓射频器件的外延制备方法，特别涉及GaN射频器件制备工艺的技术领域，包括如下步骤：S1、化学清洗：衬底为Si；S2、高温除杂：将化学清洁后的Si衬底H2环境下，1100摄氏度烘烤5分钟；S3、生长缓冲层：在Si衬底的原位烘烤清洁完毕后，在1100摄氏度、300mba的环境下，打开TMAl源和NH3源阀门，H2作为载气，高温AlN缓冲层；S4、生长插入层：温度不变将压强降低到200mba，H2作为载气，生长AIxGa1‑xN插入层，生长时间为1800秒，插入层为300nm；S5、退火：S6、生长GaN单晶：升温到1100摄氏度。打开TMGa源不关闭NH3，生长GaN。本发明具有使得衬底和外延层热膨胀系数更加适配，外延层表面减少裂纹更加光滑，外延层的质量更高的技术效果。
一种氮化射频器件外延制备方法

[实用新型]一种LED芯片N电极的结构-CN202020506307.X有效
发明人：尹宝堂 -专利权人： 辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型属于LED技术领域，尤其涉及一种LED芯片N电极的结构，包括衬底、N型层、有源层、P型层、ITO电流扩展层、P电极和N电极。所述N型层、所述有源层和所述P型层从下至上依次形成在所述衬底上。所述N型层上设置与之相连接的所述N电极。所述P型层的外侧壁铺设有N型半导体粗化层，每两个所述粗化条之间形成倒置梯形腔，且所述倒置梯形腔内底部设有导热硅胶条。通过N型半导体粗化层由于与P型层形成反向PN节无法直接向下传导电流，进而使电流分布更均匀，而且在每相邻两个粗化条之间的倒置梯形腔内设有导热硅胶条，可以更好地将电流产生的热量大的地方通过导热硅胶条进行吸收传导出去，起到了降低结温的作用。
一种 led 芯片电极结构

[实用新型]一种氮化镓集成芯片的结构-CN202020506390.0有效
发明人：尹宝堂 -专利权人： 辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓集成芯片的结构，包括发光芯片，发光芯片的外表面装配有用于支撑保护发光芯片结构的外壳，本实用新型设置了一种带有反光芯片和外壳的LED芯片，在使用时，通过加强硬度的加强块结构的限制效果，提高在芯片应用的焊接工序实施之前，引脚的弯折过程中，外壳边缘的结构强度，避免发生绝缘层损坏，影响后期使用的问题，并且通过电极片外表面开设的凹槽，方便电极片的弯折和焊接，提高LED芯片整体在使用的过程中本体的结构强度和连接强度，有效的解决了现有的LED芯片在组成其他构件时的焊接工序中，电极引脚在弯曲时容易造成电极附近其他的绝缘材料开裂造成后期容易发生漏电风险的问题。
一种氮化集成芯片结构

[实用新型]一种氮化镓芯片的电极结构-CN202020506392.X有效
发明人：尹宝堂 -专利权人： 辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓芯片的电极结构，包括绝缘防尘密封并且透光的封装层，封装层的内表面封装有发光芯片，发光芯片的顶端装配有N型电极和P型电极，本实用新型设置了一种带有发光芯片、封装层和电极的氮化镓芯片，在使用时，将N型电极和P型电极分别焊接在对应的供电电极位置，在电极通电后，电源正极的电流从P型电极流入经过P型氮化镓层后经过PN结作用，电流从N型电极流出进入电源的负极，从而保证氮化镓层发光，在焊接时，凹槽结构能够提高电极与供电部位的连接力，通过散热孔和空腔结构利用金属的导热性能好的能力提高散热效果，有效的解决了现有的LED芯片结构与集成电路板底端的缝隙小，散热效果差的问题。
一种氮化芯片电极结构

[实用新型]一种LED芯片的结构-CN202020506393.4有效
发明人：尹宝堂 -专利权人： 辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED芯片的结构，包括主体的发光芯片，发光芯片的侧表面装配有电极，电极的外表面封装有用于绝缘和支撑的绝缘层和外壳，本实用新型设置了一种带有倒装式的发光芯片和侧向安装的电极的LED芯片结构，通过侧表面安装接电电极的方式，提高氮化镓层通电时的电流扩展均匀性，并且能够通过上下叠加的氮化镓层垂直通电，提高发光的均匀性，并且发光面的底端的与发光的氮化镓层相吻合的反光层能够最大程度的提高反射程度，因此提高了LED芯片整体的发光亮度，有效的解决了现有的倒装式LED结构采用底部接电的方式所带来的发光和反光结构反射面积不同具有一定光源反射损失的问题，并且提高了通电时电流扩展的均匀性。
一种 led 芯片结构

[实用新型]一种LED芯片P电极的结构-CN202020506546.5有效
发明人：尹宝堂 -专利权人： 辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型属于LED技术领域，尤其涉及一种LED芯片P电极的结构，从下至上依次包括衬底、N型层、有源层和P型层，所述N型层上设有台面，所述台面上设置有N电极，所述P型层上设置有ITO电流扩展层，所述ITO电流扩展层上设置有P电极；所述N电极的前后两端沿所述台面向所述P电极方向均延伸有第一电极扩展条；所述P电极的前后两端沿所述ITO电流扩展层向所述N电极方向均设置有第二电极扩展条，通过在N电极5的前后延伸设有两个第一电极扩展条51，N电极5以及与N电极5延伸的第一电极扩展条51三者之间形成有间隙，同时P电极7设有插接于该间隙中间的两个第二电极扩展条71，使电流比较均匀，将会有更好的扩展效果。
一种 led 芯片电极结构

[发明专利]一种集供电、网络和控制于一体的城市智慧灯杆系统-CN202010376277.X在审
发明人：尹宝堂;单娟;田露 -专利权人： 辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种集供电、网络和控制于一体的城市智慧灯杆系统，包括集成在智慧灯杆外部的照明灯组件、摄像头组件，以及包括设置在智慧灯杆内部的中央处理器，所述中央处理器与照明灯组件及摄像头组件均进行电性连接，且所述中央处理器电性连接有数据库，所述中央处理器电性连接有第一供电模块，所述第一供电模块连接有供电网传输模块，所述中央处理器电性连接有数据传输模块，所述数据传输模块电性连接有互联网传输模块，所述互联网传输模块通过互联网传输连接有人工后台。本发明中系统在运行使用的过程中，可使系统所属的智慧灯杆具备供电、网络和控制的智能化控制运行，有利于集成设置在智慧灯杆内进行使用。
一种供电网络控制一体城市智慧灯杆系统

[发明专利]一种基于智慧灯杆的公路服务区室外照明系统-CN202010374508.3在审
发明人：尹宝堂;单娟;田露 -专利权人： 辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H05B47/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于智慧灯杆的公路服务区室外照明系统，包括中央处理器、摄像头组件及照明灯组件，摄像头组件电性连接有车速探查模块及距离探测模块，车速探查模块及距离探测模块共同电性连接有数据整合模块，数据整合模块与中央处理器电性连接，中央处理器电性连接有照明灯组件关闭控制模块及照明灯组件开启控制模块，照明灯组件关闭控制模块及照明灯组件开启控制模块与照明灯组件之间电性连接，照明灯组件电性连接有照射角调节模块及照射亮度调节模块，且照射角调节模块及照射亮度调节模块均与中央处理器之间电性连接。本发明在运用的过程中，有助于车辆在靠近并行使至公路服务区的过程中实现安全行驶，即有利于进行推广应用。
一种基于智慧灯杆公路服务区室外照明系统

[发明专利]一种基于非法目标危险评估的智慧城市系统及方法-CN202010270273.3在审
发明人：尹宝堂;刘景瀚;修川 -专利权人： 辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明属于智慧城市技术领域，公开了一种基于非法目标危险评估的智慧城市系统及方法，所述基于非法目标危险评估的智慧城市系统包括：人脸图像采集模块、声音采集模块、主控模块、图像匹配模块、声音识别模块、认证模块、危险判断模块、安全预测模块、显示模块。本发明通过图像匹配模块有效提高了人脸图像匹配的速度；同时，通过安全预测模块针对区域安全状态的体系设计和构建方法展开研究，从区域安全状态的评价模型、解析模型、预测模型三大方向突破关键技术和难点，构建兼顾客观警情指标和主观感知指标的平安城市量化指标，为城市公共安全的维护和违法犯罪防控提供方法、应用和实证依据；大大提高对城市安全的预测。
一种基于非法目标危险评估智慧城市系统方法

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