[发明专利]防腐蚀性铜及电真空器件在审
| 申请号： | 202011227437.0 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114438591A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 寇金宗;刘科海;何梦林;王恩哥 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B1/02;H01J23/027;H01J23/033;H01J25/50 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 唐菲 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本申请实施例提供一种防腐蚀性铜及电真空器件，属于电真空设备材料领域。在防腐蚀性铜中，铜晶界数量≤10个/cm |
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| 搜索关键词： | 腐蚀性 真空 器件 | ||
【主权项】：
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- 本发明公开了一种动态共价键功能化银纳米线及其制备方法和在制备电极中的应用。所述制备方法包括：将N‑乙烯基吡咯烷酮单体与带有动态共价键单体聚合，得到聚合物A；动态共价键包括硼氧键、碳氧键、双硫键、碳碳键、碳氮键、硅氧键中的一种或几种；将氯化钠、溴化钠、安息香和聚合物A加入到装有乙二醇的反应釜中，混匀得到混合液a；将硝酸银加入到反应釜中，混匀得到混合液b；将反应釜除氧密封后加热至140～180℃进行反应，反应结束后冷却，取固体洗涤得到动态共价键功能化银纳米线。本发明采用功能化的聚乙烯吡咯烷酮，作为溶液法合成银纳米线的覆盖剂，在银纳米线的生长过程中，同步对银纳米线进行功能化。
- 低维碲晶体的制备方法-202210252141.7
- 廖武刚;杨鹏;谭超良;查佳佳 - 深圳大学
- 2022-03-15 - 2022-10-21 - C30B29/02
- 本发明公开了一种低维碲晶体的制备方法，制备方法包括：采用机械剥离方法得到表面结合有六方氮化硼纳米片的硅片作为衬底，将衬底置于石英管中并通入预设质量的二氧化碲作为生长源，通过加热炉同时对生长源及衬底进行加热，在由氩气与氢气组合的混合气氛中控制生长源在预设温度下进行化学气相沉积反应，以生长得到低维碲晶体。本发明基于化学气相沉积法在具有原子级平整度的六方氮化硼衬底上生长低维碲晶体，通过控制生长源和衬底的温度、反应时间、氩气/氢气混合气体的比例及流速可制备出高质量的碲晶体，晶体尺寸介于数微米到数十微米之间。上述制备方法过程简单，无需价格昂贵的生长源、衬底及设备，极大提高了制备碲晶体的质量。
- 一种单晶铜的制备方法-202210848319.4
- 刘苗;陈煜宏;丁振卿;孙本双;杨彦春;朱锦鹏 - 河南国玺超纯新材料股份有限公司;郑州大学
- 2022-07-19 - 2022-10-18 - C30B29/02
- 本发明提供了一种单晶铜的制备方法，属于磁控溅射靶材制备技术领域。本发明提供的单晶铜的制备方法为将多晶铜依次进行酸洗、真空熔炼和半连续铸造，得到单晶铜，单晶铜的直径可达200～400mm，且制备方法简单，成本低。
- 一种铁磁/石墨烯/铁磁异质外延薄膜及其制备方法-202010455831.3
- 潘孟春;彭俊平;胡悦国;李裴森;邱伟成;胡佳飞;陈棣湘 - 中国人民解放军国防科技大学
- 2020-05-26 - 2022-10-11 - C30B29/02
- 本发明公开了一种铁磁/石墨烯/铁磁异质外延薄膜，包括石墨烯层以及分别位于石墨烯层上、下表面的第二异质铁磁层和第一异质铁磁层，所述石墨烯层在第一异质铁磁层上直接外延生长得到，所述第二异质铁磁层在石墨烯层上外延生长得到。本发明还公开了前述薄膜的制备方法，本发明具有界面晶格外延特性的优点。
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