[发明专利]半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202011216944.4 | 申请日： | 2020-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN112331651B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 颜逸飞;冯立伟 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其制备方法中，衬底中形成有沿第一预定方向延伸的有源区，所述有源区从所述衬底的表面延伸至所述衬底的第一设定深度位置；多条字线结构位于所述衬底中，且沿着第二预定方向延伸以穿过相应的有源区，所述字线结构从所述衬底的表面延伸至所述衬底的第二设定深度位置，所述第二设定深度位置低于所述第一设定深度位置；多个辅助掺杂区位于所述衬底中并围绕对应的字线结构，每个所述辅助掺杂区均位于所述第一设定深度位置及所述第二设定深度位置之间。如此，即能够利用所述辅助掺杂区改善字线结构和有源区之间的漏电流现象。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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