[发明专利]一种硒化锑晶体、其制备方法及应用

摘要

本发明公开一种硒化锑晶体、其制备方法及应用。本发明通过磁控溅射法制备硒化锑非晶预制层，硒化时将硒源和预制层分别置于双温区快速退火炉的两端，调节载气流量、硒化气压和双温区快速退火炉两端的升温程序，使硒化气压远低于硒源温度下单质硒的饱和蒸汽压，提高硒化时的硒通量，得到一个沿（hk0）取向生长的大晶粒硒化锑晶体。采用本发明的方法制备的硒化锑晶体沿（hk0）取向生长且具有较大的晶粒，有效避免了晶界和悬挂键对载流子传输的影响，提高了在特定方向上载流子的传输速率，能够有效提高光电化学产氢效率，在光电化学领域具有广泛应用。