[发明专利]一种硒化锑晶体、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种硒化锑晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）采用射频磁控溅射工艺在待制膜基底上制备非晶硒化锑预制层，非晶硒化锑预制层厚度500nm ~2000nm，其中非晶硒化锑预制层中Sb:Se摩尔比=2:3；待制膜基底为SLG/Mo、SLG或SLG/FTO；非晶硒化锑预制层制备时的溅射功率为80w，溅射时间为50min~120min；

（2）将得到非晶硒化锑预制层置于双温区快速退火炉的一端，硒源置于另一端，并设置相应的升温程序，硒源为硒粉或者硒粒，预制层端升温程序具体设定为：C1：30，T1：50，C2：300，T2：300，C3：300，T3：40，C4：400，T4：600-900，C5：400，T5：终止程序，C表示温度，单位是℃，T表示时间，单位是秒；

硒源端的温程设定为：C1：30，T1：50，C2：400，T2：300，C3：400，T3：40，C4：480-690，T4：600-900，C5：480-690，T5：终止程序，C表示温度，单位是℃，T表示时间，单位是秒；载气为氩气，载气流量设定为100sccm，硒化气压设定为2 Torr~5Torr，待程序完全结束后，温度降至200℃以下时，打开快速退火炉炉盖，使其继续降温，当硒化锑薄膜端的热电偶温度显示为100℃以下时，破真空，取出样品。

2.权利要求1所述的制备方法制得的硒化锑晶体。

3.权利要求2所述的硒化锑晶体在光电化学产氢中的应用。