[发明专利]一种柔性衬底高迁移率氧化物半导体薄膜室温生长与后处理方法有效
| 申请号： | 202011097626.0 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112289677B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 马建 | 申请（专利权）人： | 滕州创感电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 王煦丽 |
| 地址： | 277500 山东省枣庄市滕*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种柔性衬底超高迁移率氧化物半导体薄膜室温制备方法，在有机聚合物柔性衬底上氧化气氛室温生长氧化物半导体薄膜，然后进行包括下述四步处理过程的后处理，第一步为Ar等离子体处理，第二步为脉冲激光处理，第三步为O |
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| 搜索关键词： | 一种 柔性 衬底 迁移率 氧化物 半导体 薄膜 室温 生长 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
