[发明专利]NORD闪存的制作方法

摘要

本申请公开了一种NORD闪存的制作方法，涉及半导体制造领域。该NORD闪存的制作方法包括提供一衬底，衬底上存储单元区域形成有浮栅层、ONO层、控制栅层、字线，控制栅层的上方形成有字线侧墙，字线侧墙的外侧形成有氮化硅层；形成多晶硅层，多晶硅层用于形成外围电路区域的栅极；去除存储单元区域的多晶硅层；去除存储单元区域中源漏区对应的控制栅层、ONO层、浮栅层，形成NORD闪存的控制栅和浮栅；形成硬掩膜层；通过光刻工艺定义外围电路区域的栅极图案；刻蚀硬掩膜层和多晶硅层，形成外围电路区域的栅极；解决了传统闪存器件制作工艺容易造成字线多晶硅表面缺陷的问题；达到了改善字线多晶硅表面缺陷，提升器件性能的效果。