[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件领域，公开了一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器包括：衬底，包括第一区域，以及第一区域外围的第二区域；阵列结构，位于衬底的第一区域上方；电容结构，位于第二区域中，且包括：介质层，位于衬底的第二区域之上；第一电极层，位于部分介质层上；绝缘层，位于第一电极层上；第一导电结构，垂直延伸于绝缘层，并与第一电极层相接触；第二导电结构，垂直延伸于绝缘层与介质层，且位于第一电极层外围，并与衬底相接触。本发明提供的三维存储器及其制造方法实现了将部分电容结构从CMOS晶圆转移到阵列晶圆上，有利于减小CMOS晶圆的尺寸。