[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202011024630.4 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112563209A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 林士豪;林建隆;杨智铨;包家豪;林京毅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244;H01L27/11 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体装置的形成方法，基板包括具有第一类型掺杂物的第一掺杂区和具有第二类型掺杂物且与第一掺杂区域相邻的第二掺杂区。形成包括彼此交替的第一层和第二层的堆叠。第一层和第二层各自具有第一半导体材料和第二半导体材料。第二半导体材料与第一半导体材料不同。形成在第二掺杂区上方的通道区中具有开口的掩模元件。使未被掩模元件覆盖的堆叠的顶部凹陷。接着处理堆叠以形成第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管具有第一数量的第一层。第二晶体管具有第二数量的第一层。第一数量大于第二数量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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