[发明专利]三段式氧化层屏蔽栅沟槽MOSFET结构在审
| 申请号： | 202011024231.8 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112349780A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 杨乐;李铁生;楼颖颖;李恩求;刘琦 | 申请（专利权）人： | 龙腾半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三段式氧化层屏蔽栅沟槽MOSFET结构，所述MOSFET结构位于外延衬底上，其源极沟槽下方有一区域，该区域内填满与外延反型的材料并借此扩散源扩散形成的P柱和外延来实现电荷平衡。该结构通过CVD工艺在沟槽内填充BSG材料，再经热过程使Boron自动扩散到沟槽外围的硅材料中形成P柱，改变BSG浓度和褪火温度可以有效调节P柱的高宽度及浓度，实现与N型外延层的电荷平衡。采用该SGT MOSFET结构及工艺结构，因其不需要在沟槽内生长更厚的屏蔽电极介质层，同时BSG具有良好的高温回流特性，具备良好的沟槽填充能力，可以将沟槽CD极大程度缩小，因而可以缩小单位元胞尺寸，采用更高掺杂浓度的外延片实现同样的击穿电压，降低器件Rsp，增强市场竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 三段式 氧化 屏蔽 沟槽 mosfet 结构 | ||
【主权项】：
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