[发明专利]一种半导体结构的制备方法有效
| 申请号： | 202011019411.7 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN111933580B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 郑威;范广超;卢俊玮 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构的制备方法，至少包括以下步骤：提供一基板；形成金属介电层于所述基板上，所述金属介电层中具有金属结构；形成多层介质层于所述金属介电层上；在所述多层介质层上形成孔洞，所述孔洞对位于所述金属结构，且所述孔洞的底部与所述金属结构间隔有距离；利用高分子材料填充所述孔洞，形成孔洞填充层；形成图案化的光阻层于所述孔洞填充层上；进行刻蚀步骤，移除部分介质层和所述孔洞填充层，形成第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔连通，所述第一通孔的宽度大于所述第二通孔的宽度；加深所述第二通孔至所述金属介电层。本发明能简化生产工艺，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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