[发明专利]一种太阳能电池以及制作方法在审
申请号: | 202010981799.2 | 申请日: | 2020-09-17 |
公开(公告)号: | CN112071937A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 郭文辉;吴志明;张雷;翁妹芝;吴真龙 | 申请(专利权)人: | 扬州乾照光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/0687 | 分类号: | H01L31/0687;H01L31/0725;H01L31/076;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 尹秀 |
地址: | 225101*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请实施例提供了一种太阳能电池及制作方法,该太阳能电池包括:层叠的第一子电池、第一隧穿结层、第二子电池、第二隧穿结层、第三子电池以及位于第一隧穿结层和第二子电池之间的变质缓冲层,其中,变质缓冲层中含有Sb原子,由于Sb原子具有表面活性剂的作用,可以提高反应原子在变质缓冲层表面的迁移能力,有助于找到变质缓冲层中的原子成核的最低能量点,进而减少各子电池间存在的晶格失配产生的应力和位错,而且,由于Sb原子可以促进变质缓冲层中Zn离子的掺杂,以保证变质缓冲层在提供空穴能力不变的前提下,减少变质缓冲层形成过程中Zn离子的通入量降低成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 以及 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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