[发明专利]一种阵列基板及其制作方法在审
| 申请号： | 202010946892.X | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112071864A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 彭钊 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 张晓薇 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法，包括以下步骤：在玻璃基板上形成IGZO薄膜晶体管；在所述IGZO薄膜晶体管上形成钝化层；所述钝化层使用了化学修饰进行疏水化处理，在所述钝化层的内部和表面形成疏水有机基团，所述疏水有机基团起到化学性阻挡水汽的作用；其中所述钝化层为单层结构。本发明提供的阵列基板及其制作方法，通过采用化学修饰的方法使得钝化层薄膜的内部和表面修饰了一些疏水基团，使得钝化层的物理阻挡变成化学阻挡。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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