[发明专利]等离子体处理装置和温度控制方法在审
| 申请号： | 202010893601.5 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112466736A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 川上聪;池田太郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置和温度控制方法。在一个例示的实施方式中，等离子体处理装置包括多个微波辐射机构、载置台、下部加热源和上部加热源。多个微波辐射机构设置于处理容器的上部。载置台配置于处理容器内。下部加热源设置于载置台内。上部加热源配置于与载置台相对的位置。根据本发明，能够形成品质优良的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 温度 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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